在此之前，能够做到可编程，可读写，断电后存储数据不消失的半导体非易失性存储器，只有英特尔发明的EEPROM。

但是英特尔的EEPROM存在明显短板，那就是读写性能差、难以提高集成度等。

也就是说，英特尔根本不适合存储大容量的数据，因此只能用于计算机的BIOS引导芯片，用来引导计算机操作系统的启动。

而舛冈的解决思路，是“故意降低性能”。

简单来说，EEPROM的擦写数据方式是以字节为单位来进行的。

而到了NOR芯片当中，这些原本都拿着单独号码牌的数据，被打包成一个个“小集体”来看待，即以块为单位来进行擦和写。

在芯片里，“号码牌”本身就占据了电路的一部分，以前是一个房间一个号码牌，现在变成了一栋大楼一个号码牌，这么一来，“号码牌”就大大减少了，芯片的面积自然就缩小了，容量也更大，虽然写入速度变慢了，但是擦除速度却变快了。

性能总体还是降低了，但是这个代价换来的却是成本的巨大节约，达到了量产的要求。

而且速度也并非真正的慢，毕竟半导体内的电子都是以光速在运行，因此舛冈富士雄将之命名为FLASH，意思是速度像闪光灯一样快的存储，国内将之翻译成了“闪存”。

闪存的出现毫无疑问应该是跨时代的产品了，然而就算到了现在，全世界绝大多数产商都没有意识到它的真正价值，就算是舛冈富士雄所在的东芝，以及首先注意到闪存产业的INTEL，都将之定位在计算机的系统引导芯片这一狭小的应用范围里。

最关键的是舛冈富士雄在东芝内部完全不受待见。

舛冈富士雄二十八岁从日本半导体技术创始人之一——西泽润一门下博士毕业，当时引得岛国各大企业纷纷抛出橄榄枝，而他被东芝吸引的原因，是因为时任东芝超大规模集成电路研究所所长的武石喜幸的一句话——让我们一起做一个不存在于这个世界上的东西吧。

就为这么一个“大饼”，舛冈下定决心拒掉其他机会，投身东芝。

但因为其自由散漫的风格，无法让公司高层认为他可以带好团队，虽然在进入东芝的第一年就搞出了SAMOS存储器方面的新专利，并以此推动东芝与英特尔签署了相关交叉授权协议，却随后就被公司内部放逐了。

先是一度被调到销售部门，却业绩稀烂。后来又在工厂里折腾了好一遭，也没有干出啥成绩。

最后还是当年挖掘他的伯乐武石喜幸抬了一手，在一九八零年把他捞回研究部门。

发明NOR闪存芯片之后，新发明立刻引起了英特尔的注意。他们很快为此联系上了东芝和舛冈，并抢先在八八年量产了NOR闪存芯片。

也就是说，虽然闪存的概念最先诞生于东芝，但闪存产业的开创者却是大洋彼岸的英特尔。

而且双方其实都没有如何重视这项发明。

因为其造价实在太高。

所幸在闪存研发团队的危机时刻，研究所所长武石喜幸表了态：舛冈的做法符合技术发展的方向，那就好好做吧。

不仅如此，因为舛冈的团队申请不下来开发资金，武石所长还把其他项目的资金分给了他们。

到了一九八六年，不甘心的舛冈富士雄再次走到了同行前头，他发明了更便宜的NAND闪存，也就是现在大家手机里都在用的那种。